大众财经网 9月25日消息，据IT之家报道，韩国半导体分析机构 Kernel Insight 最新数据显示，采用 1b 工艺节点的 DRAM 晶圆，每平方毫米成本达到 0.654 美元（现汇率约合 4.4 元人民币），较台积电 N2 晶圆的 0.424 美元（约合 2.8 元人民币）高出 54%。在制程工艺更简单的情况下，单位面积成本反而更高，价格出现明显倒挂。
对打算装机、升级笔记本或采购服务器的普通用户与企业来说，内存从来不是一串孤立的价格数字，而是直接决定整机成本的硬支出。当上游高容量颗粒持续紧俏，终端零售价与整机 BOM 成本往往随之抬升，这轮由 AI 算力投资拉动的短缺，最终会落到每一台电脑的价签上。
IT之家在报道中解释，1b 指的是存储单元特征尺寸进入 10 纳米以下的工艺节点，位密度约为每平方毫米 0.436 Gb，主要用于生产 DDR5 内存模组，以及面向 AI 加速器的 HBM3E 等显存配套颗粒。DDR5 的制造流程远比台积电 N2 节点硅晶圆简单——N2 属于 2 纳米级先进制程，需多重曝光、极紫外光刻等复杂工艺；1b DRAM 虽为亚 10 纳米级，但结构相对单一，良率控制难度较低。
为什么工艺更简单的产品，单价反而更贵？Kernel Insight 的数据指向同一个根源：通用 DRAM 长期供应短缺。报道称，AI 服务器建设潮持续消耗高带宽内存与大容量 DDR5 模组，而三星、SK 海力士、美光这三大存储厂商产能扩张的节奏，明显滞后于需求增速，供需缺口直接推高了单位成本。相比之下，台积电 N2 虽工艺远更复杂，却因供给相对充裕而未出现同等比价上的紧张。
市场的紧张情绪里也夹杂着不同的判断。SK 海力士 CEO 曾公开表示，AI 产业无法脱离存储器而存在，公司正加速全球生产基地的下一代内存布局；宏碁董事长陈巍则预测，内存短缺不会延续到 2030 年，但在 2027 年中期缓解之前，价格仍可能继续攀升。需要说明的是，上述判断均来自企业高管的公开表态，而非行业定论，市场能否如期回稳仍存在不确定性。
从更长的时间轴看，存储行业向来呈现明显的周期性，扩产与价格回落往往滞后于需求爆发一两年的节奏。这一轮由 AI 算力投资拉动的短缺，与过去由消费电子旺季节奏驱动的波动有所不同——AI 服务器的需求更集中、更刚性，也给三大存储厂商的产能调度提出了更高要求。对下游的 PC 厂商、服务器集成商乃至终端消费者而言，短期内恐怕还要继续适应“内存不再便宜”的新常态。
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